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GaN功率放大器采用业界领先的100nm栅宽硅基氮化镓工艺技术D01GH生产制备。

产品型号 工作频率(GHz)增益(dB)P1dB(dBm)Psat(dBm)OIP3(dBm)供电封装形式工艺技术 详情
YGPA01-2831C1 28 - 31.522 - 39 - +12V@2500mADIED01GH 点击下载
YGPA02-3743C1 37 - 4318TBD41TBD2700mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA03-0120C1 0.5-2022TBD35TBD700mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA04-1518C1 15-18254045TBD6000mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA05-2731C1 27-31204143TBD4000mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA06-3337C1 33 - 37203438.5TBD2200mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA07-2629C1 26-29203940TBD4000mA @ +12VDieD01GH 点击下载
YGPA08-1518C1 15 - 18223840.7TBD2000mA @ +12VDieD01GH 点击下载
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Focus on III-V Semi-Conductor MMICs up to 300GHz!

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